新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

AIMDQ75R004M2H

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CoolSiC™車載用 MOSFET 750 V G2上面放熱パッケージ、4 mΩ
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パッケージ
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AIMDQ75R004M2H
AIMDQ75R004M2H
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    357 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    4 mΩ
  • RthJC max
    0.1 K/W
  • VDS max
    750 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AIMDQ75R004M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CoolSiC™ Automotive MOSFET 750 V第2世代は、スイッチング性能の向上、損失の低減、熱管理の強化を実現します。スイッチング速度が第1世代よりも25%向上し、性能指数は最大35%向上しているため、車載アプリケーション向けに、より効率的でコンパクトかつ信頼性の高いシステムを実現します。

機能

  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 最高レベルのRDS(on)×Qfr
  • 優れたRDS(on)×Qoss& RDS(on)×QG
  • 独自の低Crss/Ciss& 高VGS(th)
  • .XT技術によるチップパッケージの相互接続
  • ドライバ ソース ピン端子あり

利点

  • 高い堅牢性と信頼性
  • ハードスイッチングにおける優れた効率
  • 高スイッチング周波数化
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • 最高レベルの放熱性
  • スイッチング損失を低減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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