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2N6766

データシート
パッケージ

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2N6766
2N6766
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QPL型番
    2N6766
  • RDS (on) (@25°C) max
    85 mΩ
  • VBRDSS min
    200 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-204AE
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    High Reliability MOSFETs
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
2N6766 is a high reliability, 200V, single, N-channel MOSFET in a TO-204AE package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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