インフィニオン、超低オン抵抗と新パッケージでCoolSiC™ MOSFET 750 V G2ファミリーを拡張

マーケットニュース

18/12/2025

2025年12月10日、ミュンヘン (ドイツ)



インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、車載および産業用電力変換アプリケーション向けに最高レベルのシステム効率と電力密度をもたらすよう設計された、新しいパッケージのCoolSiC™ MOSFET 750 V G2テクノロジーを発表しました。この最新のイノベーションはQ-DPAKやD2PAKなどのさまざまなパッケージで、25℃で最大オン抵抗 60 mΩまでのポートフォリオを提供します。

 

今回拡張されたポートフォリオには、自動車分野の車載充電器や高電圧から低電圧まで柔軟に対応可能な (HV-LV) DC-DCコンバーター、サーバーや通信用SMPS、産業用アプリケーションでのEV充電インフラストラクチャなど、さまざまなアプリケーション向けの製品が含まれます。最低4 mΩという超低RDS(on) 値により、eFuse、高電圧バッテリー切断スイッチ、ソリッドステート サーキットブレーカー (SSCB)、ソリッドステート リレー (SSR) など、極めて高い静的スイッチング性能を必要とするアプリケーションが実現されます。この比類ない性能により、設計者は最も厳しい要件を満たす、より効率的で信頼性の高い小型システムを作成することができます。

 

CoolSiC MOSFET 750 V G2テクノロジーの主な特徴の1つは、最適な熱性能と信頼性を提供する革新的なトップサイド冷却 (上面放熱、TSC) Q-DPAKパッケージです。このパッケージは高電力アプリケーションを容易に取り扱えるように設計されているため、電力密度と効率の限界を押し広げたいと考える設計者にとって魅力的な選択肢となります。このテクノロジーは優れたRDS(on) x QOSSとクラス最高のRDS(on) x Qfrも示すため、ハードスイッチングとソフトスイッチングの両トポロジーにおいてスイッチング損失の削減に貢献し、ハードスイッチングのユーザー ケースで効率を向上させます。

 

さらに、CoolSiC MOSFET 750 V G2は、25℃で4.5 Vの高いしきい値電圧VGS(th),typと超低QGD/QGS比の組み合わせを提供して寄生ターンオン (PTO) に対する堅牢性を強化します。その上、このテクノロジーによりゲート駆動能力が拡張され、最大-7 Vの静的ゲート電圧と最大-11 Vの過渡ゲート電圧に対応します。この強化された電圧許容範囲によって、より大きな設計マージンと市場の他のデバイスとの最良の互換性がもたらされます。

 

供給状況について

現在、CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAKの4/7/20/33/40/50 mΩおよびD2PAKの7/25/33/40/50/60 mΩのサンプルを提供中です。詳細については、http://www.infineon.com/coolsic-750vをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約57,000人の従業員を擁し (2025年9月末時点)、2025会計年度 (2024年10月～2025年9月) の売上高は約147億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

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Press Photos

One of the key features of the CoolSiC MOSFET 750 V G2 technology is its innovative top-side cooled Q-DPAK package, which provides optimal thermal performance and reliability.

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Yufuko Toyoda

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