Infineon erweitert CoolSiC™ MOSFET 750 V G2-Familie mit ultra-niedrigem RDS(on) und neuen Gehäusen

Market News

Dec 10, 2025

München, 10. Dezember 2025 – Infineon stellt neue Gehäuse für die CoolSiC™ MOSFET 750 V G2-Technologie vor, die für höchste Systemeffizienz und Leistungsdichte in Automotive- und Industrieanwendungen konzipiert sind. Diese neueste, innovative Technologie ist nun in einer Reihe von Gehäusen verfügbar, darunter Q-DPAK und D2PAK, und bietet ein Portfolio mit typischen Durchlass-Widerstandswerten von 4 mΩ bis zu 60 mΩ (bei 25°C).
 
Die Erweiterung des Portfolios umfasst Produkte für verschiedene Anwendungen, unter anderem On-Board-Charger und HV-LV-DCDC-Konverter im Automotive-Bereich sowie Server- und Telekommunikations-Spannungsversorgungen und EV-Ladegeräte im industriellen Bereich. Ein ultra-niedriger RDS(on) von 4 mΩ ermöglicht Anwendungen, die eine außergewöhnliche Schaltleistung erfordern, wie eFuse, Hochspannungs-Batterie-Trennschalter, Solid-State Circuit Breaker und Solid-State Relais. Durch die branchenführende Performance können Designer effizientere, kompaktere und zuverlässigere Systeme erstellen, die die anspruchsvollsten Anforderungen erfüllen.
 
Eine der wichtigsten Funktionen der CoolSiC MOSFET 750 V G2-Technologie ist ihr innovatives, auf der Oberseite gekühltes Q-DPAK-Gehäuse, das optimale thermische Leistung und Zuverlässigkeit bietet. Dieses Gehäuse ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet eine attraktive Wahl für Designer, die die Grenzen der Leistungsdichte und Effizienz erweitern möchten. Die Technologie weist hervorragende RDS(on) x QOSS- und erstklassige RDS(on) x Qfr-Werte auf, was zu reduzierten Schaltverlusten in weich und hart schaltenden Topologien führt und dadurch zu überlegener Effizienz in der Anwendung beiträgt.
 
Darüber hinaus bieten die CoolSiC MOSFETs 750 V G2 eine Kombination aus hoher Schwellenspannung (VGS(th),typ von 4,5 V bei 25°C) und optimierten QGD/QGS-Verhältnis, was die Robustheit gegen parasitäre Einschaltung (PTO) verstärkt. Zudem ermöglicht die Technologie erweiterte Gate-Steuerungsfenster, da diese Technologie statische Gate-Spannungen von bis zu -7 V und transiente Gate-Spannungen von bis zu -11 V unterstützt. Diese erhöhte Spannungstoleranz bietet Ingenieuren größere Entwurfsreserven und beste Kompatibilität mit anderen Geräten auf dem Markt.
 
Verfügbarkeit 
Die CoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50-mΩ- und D2PAK 7/25/33/40/50/60-mΩ-Muster sind jetzt verfügbar. Weitere Informationen finden Sie unter http://www.infineon.com/coolsic-750v

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Eines der Hauptmerkmale der CoolSiC MOSFET 750 V G2-Technologie ist ihr innovatives, top-side gekühltes Q-DPAK-Gehäuse, das optimale thermische Leistung und Zuverlässigkeit bietet.

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Michael Burner

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