IMZC120R012M2H 長い沿面距離を持つTO-247 4 ピンパッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFET ディスクリート1200 V G2
概要
沿面距離の長いTO-247 4ピンパッケージに搭載された1200 V/12 mΩ CoolSiC™ MOSFET G2ディスクリートは、第1世代の技術がもつ強みを活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、設計が容易な、信頼性の高いシステム設計を実現します。本製品は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに適したハードスイッチングおよびソフトスイッチングトポロジーの両方で主要特性が大幅に改善されています。
特長
- RDS(on) = 12 mΩ (VGS = 18 V, Tvj = 25°C時)
- きわめて低いスイッチング損失
- 広い最大VGS範囲: -10 V~+25 V
- 最大過負荷動作: Tvj = 200°C
- 短絡耐量時間 2 µs
- 業界標準となる閾値電圧、VGS(th)=4.2 V
- 寄生ターンオンに対する堅牢性
- .XT相互接合技術
- ばらつきが小さいVGS(th) パラメータ分布
利点
- 高いエネルギー効率
- 冷却の最適化
- 高電力密度
- 新しい堅牢性
- 高い信頼性
- 容易な並列化
サポート