CoolSiC™ Hybrid IGBT ディスクリート

IGBTとSiCショットキー バリアダイオードを還流ダイオードとして使うことにより、従来のIGBTディスクリート製品と比べ、Eonやスイッチング損失を大幅に低減できます。

650V TRENCHSTOP™5 IGBTデザインは、時間をかけず簡単にHybrid CoolSiC™ IGBTにアップグレードすることができ、効率がスイッチング周波数10kHzごとに0.1%向上します。ケルビン接続端子付きTO-247 4ピンパッケージのCoolSiC™ハイブリッド ディスクリートを使用することで、スイッチング損失はさらに低減し、効率が向上します。

新しい650V Hybrid CoolSiC™ IGBTは、クラス最高の650V TRENCHSTOP™5 IGBT技術と、ショットキーバリアCoolSiC™ダイオードのユニポーラ構造が持つ主な利点を併せ持つ製品です。

ケルビン接続端子を備えたTO-247の4ピンパッケージにより整流を高速化し、IGBTのスイッチング動作を改善しました。また、標準的なTO-247パッケージと比べ、ダイナミックロスを20%低減しているため、システム全体の効率が向上し、IGBTの低温動作が可能になります。

IGBTのスイッチング速度が高速化するほど、TO-247 4ピンによるメリットは大きくなります。