これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

概要

ショットキーバリアダイオードをIGBT と統合しフリーホイールダイオードとして使用することで、IGBT の機能を拡張し、Eonと全体的なスイッチング損失を大幅に削減できます。フリーホイールSiC ショットキーバリアダイオードは、dV/dt およびdi/dt 値がほとんど変化しない場合のスイッチング損失を大幅に低減します。

主な機能
  • TRENCHSTOP™ 5 IGBT テクノロジー
  • SiCショットキーダイオードと統合
  • 4ピン ケルビン エミッター パッケージ
  • 電圧オーバーシュートの低減
アプリケーション
電力変換
無停電電源装置 (UPS)
太陽光発電

製品

概要

CoolSiC™ ハイブリッドディスクリートについて

設計における当社の 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT を迅速かつ簡単にプラグアンドプレイで置き換えると、スイッチング速度が 10 kHz ごとに効率が瞬時に 0.1% 向上するため、スイッチング速度が 23 kHz のアプリケーションでは、効率が ~0.23% 向上します。 ケルビン エミッター4ピンパッケージに CoolSiC™ ハイブリッドディスクリートを使用すると、スイッチング損失がさらに低減され、さらに高い効率が得られます。

主な機能と利点

650V CoolSiC™ ハイブリッドディスクリートは、クラス最高の650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT テクノロジーの主要な機能と、クラス最高の超高速または高速スイッチング TRENCHSTOP™ 5 IGBT テクノロジーなど、統合されたショットキーバリア CoolSiC™ ダイオードのユニポーラ構造を兼ね備えています。これらのデバイスはSiC ショットキーバリアダイオードと同梱されており、4ピン ケルビン エミッター パッケージを備えています。さらに、650 V CoolSiC™ハイブリッドディスクリートは、スイッチング損失と導通損失が最も少ないクラス最高のIGBT であるなどの利点があります。SiC MOSFET に匹敵し、競争力のあるコストで入手でき、センスピンと電圧オーバーシュートの低減 (シリコンダイオードのdirr/dt が原因)により、IGBT 応答時間が非常に短くなります。

主な利点

650 V CoolSiC™ ハイブリッドディスクリートには、冷却労力の削減や電力密度の向上のための高効率、より高い周波数動作、双方向電流の流れ、10 kHz の動作周波数ごとに0.1% の効率向上を可能にする TRENCHSTOP™ 5 IGBTへの設計の容易な置き換えなど、重要な主となる利点が組み込まれています。

TO-247 ケルビン エミッター付き4ピンパッケージ

ケルビン エミッターを備えたTO-247 4ピンパッケージは、より高速な整流を可能にし、IGBTのスイッチング動作を改善します。標準のTO-247パッケージと比較して動的損失が20% 低減されているため、システム全体の効率が向上し、IGBT をより低い温度で動作させることができます。

IGBT のスイッチングが高速であるほど、TO-247 4ピンの利点は大きくなります。

TO-247 4ピン

CoolSiC™ ハイブリッドディスクリートについて

設計における当社の 650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT を迅速かつ簡単にプラグアンドプレイで置き換えると、スイッチング速度が 10 kHz ごとに効率が瞬時に 0.1% 向上するため、スイッチング速度が 23 kHz のアプリケーションでは、効率が ~0.23% 向上します。 ケルビン エミッター4ピンパッケージに CoolSiC™ ハイブリッドディスクリートを使用すると、スイッチング損失がさらに低減され、さらに高い効率が得られます。

主な機能と利点

650V CoolSiC™ ハイブリッドディスクリートは、クラス最高の650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT テクノロジーの主要な機能と、クラス最高の超高速または高速スイッチング TRENCHSTOP™ 5 IGBT テクノロジーなど、統合されたショットキーバリア CoolSiC™ ダイオードのユニポーラ構造を兼ね備えています。これらのデバイスはSiC ショットキーバリアダイオードと同梱されており、4ピン ケルビン エミッター パッケージを備えています。さらに、650 V CoolSiC™ハイブリッドディスクリートは、スイッチング損失と導通損失が最も少ないクラス最高のIGBT であるなどの利点があります。SiC MOSFET に匹敵し、競争力のあるコストで入手でき、センスピンと電圧オーバーシュートの低減 (シリコンダイオードのdirr/dt が原因)により、IGBT 応答時間が非常に短くなります。

主な利点

650 V CoolSiC™ ハイブリッドディスクリートには、冷却労力の削減や電力密度の向上のための高効率、より高い周波数動作、双方向電流の流れ、10 kHz の動作周波数ごとに0.1% の効率向上を可能にする TRENCHSTOP™ 5 IGBTへの設計の容易な置き換えなど、重要な主となる利点が組み込まれています。

TO-247 ケルビン エミッター付き4ピンパッケージ

ケルビン エミッターを備えたTO-247 4ピンパッケージは、より高速な整流を可能にし、IGBTのスイッチング動作を改善します。標準のTO-247パッケージと比較して動的損失が20% 低減されているため、システム全体の効率が向上し、IGBT をより低い温度で動作させることができます。

IGBT のスイッチングが高速であるほど、TO-247 4ピンの利点は大きくなります。

TO-247 4ピン

ドキュメント

ドキュメント