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40 V および 60 V のOptiMOS™ 5 パワーMOSFET

設計を縮小し、効率を高める

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概要

AC-DC設計者は、システムコストを削減しながら、システム効率と電力密度を向上させるという課題に直面しています。 インフィニオンの40V および60V 範囲の OptiMOS™ 5パワーMOSFETは、代替デバイスと比較してRDS(on) が15% 低く、性能指数 (RDS(on)x Qg) が31% 低く、これらの課題に対する完璧な答えです。

主な機能

  • 同クラス最高のシステム効率
  • 低いスイッチング損失と導通損失
  • 超低電圧オーバーシュート
  • 利用可能な温度:150°Cおよび175°C
  • 並列化の必要性を低減
  • 高い電力密度

製品

概要

OptiMOS™ 5 個のパワー MOSFET を 40 V および 60 V で構成

40 V および 60 V 範囲の OptiMOS™ 5 パワー MOSFET には、DPAK、D2PAK、D2PAK 7 ピン、PQFN 2x2、PQFN 3.3x3.3 などのさまざまなパッケージが含まれています。 SuperSO8 5x6、TO-220、TO-220 FullPAK、TOLL、TOLG、およびTOLTを使用して、設計とスペースの要件を満たします。

OptiMOS™ 5パワーMOSFET 175°C : 強化された温度定格

OptiMOS™ 5パワーMOSFETは、パッケージ内の温度改善とともに最新の技術を提供します。 この新しい組み合わせにより、より高い電力密度と堅牢性の向上が可能になります。

定格の低いデバイスと比較して、175°C Tjmax 機能は、より高い動作接合部温度でより多くの電力を提供するか、同じ動作接合部温度でより長い寿命を提供します。 さらに、このデバイスは安全動作領域 (SOA) を20% 改善します。

モノリシック内蔵ショットキーライクダイオードによるOptiMOS™

40V SuperSO8パッケージ(5x6 mm)にモノリシック集積ショットキーライクダイオードにより、効率が向上し、電圧オーバーシュートが大幅に減少します。 したがって、スナバ回路の必要性を減らし、エンジニアリングの労力とコストを節約します。

OptiMOS™ 5 個のパワー MOSFET を 40 V および 60 V で構成

40 V および 60 V 範囲の OptiMOS™ 5 パワー MOSFET には、DPAK、D2PAK、D2PAK 7 ピン、PQFN 2x2、PQFN 3.3x3.3 などのさまざまなパッケージが含まれています。 SuperSO8 5x6、TO-220、TO-220 FullPAK、TOLL、TOLG、およびTOLTを使用して、設計とスペースの要件を満たします。

OptiMOS™ 5パワーMOSFET 175°C : 強化された温度定格

OptiMOS™ 5パワーMOSFETは、パッケージ内の温度改善とともに最新の技術を提供します。 この新しい組み合わせにより、より高い電力密度と堅牢性の向上が可能になります。

定格の低いデバイスと比較して、175°C Tjmax 機能は、より高い動作接合部温度でより多くの電力を提供するか、同じ動作接合部温度でより長い寿命を提供します。 さらに、このデバイスは安全動作領域 (SOA) を20% 改善します。

モノリシック内蔵ショットキーライクダイオードによるOptiMOS™

40V SuperSO8パッケージ(5x6 mm)にモノリシック集積ショットキーライクダイオードにより、効率が向上し、電圧オーバーシュートが大幅に減少します。 したがって、スナバ回路の必要性を減らし、エンジニアリングの労力とコストを節約します。

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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