Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S80KS2564GACHI040

256MBit 1.8 V Industrial (85°C) HyperBus x16 HYPERRAM Gen 3.0 in 49 FBGA
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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S80KS2564GACHI040
S80KS2564GACHI040
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS x16
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-4
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    1.7 V ～ 2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S80KS2564GACHI040
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-49
パッケージ名 FBGA-49 (002-32552)
包装サイズ 260
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-49
パッケージ名 FBGA-49 (002-32552)
包装サイズ 260
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
S80KS2564GACHI040は256 MbのHYPERRAMセルフリフレッシュDRAM（PSRAM）で、1.8 V（1.7 Vb02.0 V）のHYPERBUS extended-IO x16インタfcフェfcスを搭載します。最大200 MHzのDDR動作で800 MBpsのスルfcプットと最大アクセスタイム35 nsに対応。49ボfcルFBGAの産業グレfcド（-40b0Cfc85b0C）で、部分アレイリフレッシュ、ハイブリッドスリfcプ、ディfcプパワfcダウンにより待機電力を低減します.

特長

  • HYPERBUS拡張IO x16バス
  • DDRで両エッジ転送
  • 最大200 MHzクロック
  • 最大800 MBpsスループット
  • 最大アクセスtACC 35 ns
  • 差動クロックCK/CK#対応
  • RWDSはストローブ兼マスク
  • リニア/ラップバースト可変
  • VCC/VCCQ 1.7 V～2.0 V
  • ハイブリッドスリープで保持
  • ディープパワーダウンで停止
  • ESD: HBM 2 kV, CDM 500 V

利点

  • x16 DDRでピン当たり帯域向上
  • 800 MBpsで高速バッファ実現
  • tACC 35 nsで遅延を低減
  • 差動クロックで耐ノイズ向上
  • RWDSでタイミング設計が容易
  • バーストでホスト転送を最適化
  • 1.8 V系MCUに合わせやすい
  • ハイブリッド睡眠で保持し省電力
  • DPDで未使用時の消費を最小化
  • ESDで取扱い歩留まり改善
  • オーバーシュート許容でSI容易
  • クロック停止でIF電流を低減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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