S80KS2563GABHB020

データシート

パッケージ

S80KS2563GABHB020

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

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Density

256 MBit
インターフェース

xSPI (Octal)
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

- / 200
インターフェース帯域幅

400 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

KS-3
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
初期アクセス時間

35 ns
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 105 °C
動作電圧 (範囲)

1.7 V ～ 2 V
動作電圧

1.8 V
技術

HYPERRAM
認定

Automotive

	推奨
OPN	S80KS2563GABHB020
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ	676
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ	676
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

S80KS2563GABHB020は256 MbのHYPERRAM™セルフリフレッシュDRAMで、1.8 VのOctal xSPI（DDR）インターフェースにより高帯域の外部メモリを実現します。最大200 MHzクロック、400 MBpsスループット、リニア/ラップバースト（16/32/64/128バイト）とRWDSストローブ/書込みマスクに対応。AEC-Q100 Grade 2で、1.7 V～2.0 V、-40～105°C動作、ハイブリッドスリープと15 µAのディープパワーダウンを備えます。

特長

オクタルxSPI, DDR対応
最大200 MHzクロック
最大400 MBps(3,200 Mbps)
8ビットDQ[7:0]データバス
RWDS:ストローブ/書込マスク
差動クロックCK/CK#対応
ハードリセットRESET#
バースト16-128 B選択
ハイブリッド:ラップ後リニア
ハイブリッドスリープ保持
ディープPDでリフレッシュ停止
VCC 1.7 V2.0 V

利点

DDRオクタルでピン数削減
400 MBpsで帯域を強化
200 MHzで高速xSPIに対応
RWDSでDDRタイミング余裕
差動クロックで信号品質向上
RESET#で復帰を確実化
バースト選択でバス効率向上
ハイブリッドがキャッシュライン適合
ハイブリッドスリープで保持し省電力
ディープPDで待機電流低減
低VCCでシステム消費低減
ESD定格で取扱い余裕

用途

デザインリソース

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