S70FL01GSAGMFV010
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S70FL01GSAGMFV010

データシート
パッケージ
ソフトウェア
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在庫あり

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S70FL01GSAGMFV010
S70FL01GSAGMFV010
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S70FL01GSAGMFV010
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 2400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
S70FL01GSAGMFV010は1 Gbit（128 Mbyte）積層SPI NORフラッシュメモリで、デュアルS25FL512Sダイを統合し、高性能組み込みや車載システム向けに設計されています。動作電圧は2.7 V～3.6 V、SPIマルチI/O、最大133 MHz SDRと80 MHz DDR対応、均一256 kbyteセクタと512 byteプログラミングバッファを備えます。耐久性は最低100,000回サイクル、データ保持20年。自動車Grade 1認定（−40°C～+125°C）で厳しい環境下でも信頼性を確保します。

特長

  • デュアルダイスタック構造
  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • DDR/SDRモード対応
  • 32ビット拡張アドレス
  • 512バイトページプログラムバッファ
  • 均一256 KBセクタ
  • 10万回書換保証
  • 20年データ保持
  • 2048バイトOTP領域
  • ブロック保護と高度なセクタ保護
  • コア電圧2.7-3.6 V
  • I/O電圧1.65-3.6 V

利点

  • 1 Gbit高密度ストレージ実現
  • 柔軟なインターフェース
  • DDRで高速転送
  • 大容量アドレス空間
  • 高速プログラムで効率化
  • メモリ管理が容易
  • 頻繁な書換も信頼性維持
  • 長期データ保持
  • 機密データ保護
  • 誤消去防止
  • 3 Vシステム対応
  • 柔軟なI/Oで統合容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ