S29GL128S11DHIV20
Active and preferred
RoHS対応

S29GL128S11DHIV20

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S29GL128S11DHIV20
S29GL128S11DHIV20
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    128 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    110 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S29GL128S11DHIV20
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-15537)
梱包サイズ 520
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-LFBGA-64
パッケージ名 FBGA-64 (002-15537)
梱包サイズ 520
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S29GL128S11DHIV20は128 Mb並列MIRRORBIT™ Eclipseフラッシュメモリで、65 nm技術を採用し組込み・車載用途に対応します。ランダムアクセス90 ns、ページアクセス15 ns、512バイト書込みバッファ、I/O電圧1.65 V～3.6 V。動作温度-40°C～+105°C、10万回書き換えと20年データ保持。セクタ保護と内部ECCでデータ整合性を確保します。

特長

  • 65 nm MIRRORBIT™ Eclipse技術
  • CMOS 3.0 Vコアと多様なI/O
  • 単一電源で動作（2.7 V～3.6 V）
  • I/O電圧範囲1.65 V～VCC
  • 16ビットデータバス
  • 非同期32バイトページリード
  • 512バイト書き込みバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • 128 KB均一セクタ
  • プログラム/消去中断対応
  • 高度なセクタ保護（ASP）
  • 1024バイトOTP領域

利点

  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 電源設計が簡単
  • 広いI/O電圧対応
  • 16ビットバスで高速転送
  • ページリードで高速アクセス
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCでデータ保護強化
  • セクタ管理が容易
  • プログラム/消去中断可能
  • 強力なデータ/セクタ保護
  • OTPで永久データ保存

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }