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RoHS準拠
鉛フリー

S26KL256SDABHI020

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S26KL256SDABHI020
S26KL256SDABHI020
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • インターフェース帯域幅
    200 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KL-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    96 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 技術
    HYPERFLASH
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S26KL256SDABHI020
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 676
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 676
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S26KL256SDABHI020は256 Mb（32 MB）のHYPERFLASH™ NORフラッシュメモリで、3.0 V専用コアとI/O、HYPERBUS™ DDRインターフェースによる高速データ転送に対応。3.0 V動作時は最大200 MBpsの持続読み出し、10万回の書き換え耐久性、20年データ保持、1ビット訂正2ビット検出ECC、高度なセクタ保護機能を搭載。–40°C～+125°C（AEC-Q100）で動作し、自動車や産業用途の信頼性が求められる不揮発性メモリに最適です。

機能

  • 3.0 V I/O、11本バス信号
  • 1.8 V I/O、12本バス信号
  • 最大333 MBps持続読出スループット
  • DDR：クロック毎に2回データ転送
  • 8ビットデータバス（DQ[7:0]）
  • 96ns初期ランダムリードアクセス
  • 512バイトプログラムバッファ
  • ECC：1ビット訂正、2ビット検出
  • ハードウェアCRC計算
  • セキュアシリコン領域（1024バイトOTP）
  • 高度なセクタ保護方式
  • 低消費電力モード：スタンバイ25µA、深パワーダウン8µA

利点

  • 高スループットで高速データアクセス
  • DDRでシステム性能向上
  • 8ビットバスで統合が容易
  • 高速ランダムアクセスで遅延低減
  • 大容量バッファで書込高速化
  • ECCでデータ信頼性確保
  • CRCでエラー迅速検出
  • セキュア領域で重要データ保護
  • 柔軟なセクタ保護で安全性向上
  • 低消費電力で電池長持ち

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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