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RoHS準拠
鉛フリー

S25FL256SAGMFAG10

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S25FL256SAGMFAG10
S25FL256SAGMFAG10
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • インターフェース帯域幅
    52 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S25FL256SAGMFAG10
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 2400
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 2400
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S25FL256SAGMFAG10は256 MbのSPIマルチI/O NORフラッシュメモリで、Infineonの65 nm MIRRORBIT™技術を採用し、Quad DDRモードで最大80 MBpsの高速読み出しと1.5 MBpsのページプログラミングを実現します。動作電圧は2.7 V～3.6 V、I/O電圧は1.65 V～3.6 V。ハイブリッドセクター構造、10万回のプログラム消去耐久性、20年のデータ保持、先進的なセクター保護機能、AEC-Q100 Grade 1認証（-40°C～+125°C動作）を備えています。自動車および産業用システムに最適です。

機能

  • CMOS 3.0 Vコアと多用途I/O
  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • DDR/SDRクロック対応
  • 24/32ビット拡張アドレス
  • 多様なリードモード：ノーマル、ファスト、デュアル、クワッド、DDR
  • ページプログラム最大1.5 MBps
  • 自動ECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォームセクタ消去
  • 10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTPセキュリティ領域
  • 高度なセクタ・ブロック保護

利点

  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 高速SPIでデータ転送向上
  • DDR/SDRで設計自由度
  • 拡張アドレスで大容量対応
  • 多様なリードで性能最適化
  • 高速プログラムで生産効率化
  • ECCで信頼性向上
  • セクタ選択で互換性確保
  • 高耐久で保守コスト減
  • 長期保持でデータ安全
  • OTPでセキュアID実現
  • 保護機能で安全性強化

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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