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RIC7S113E4SCS

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RIC7S113E4SCS
RIC7S113E4SCS
データシート

Product details

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • tf
    17 ns
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • toff
    100 ns
  • ton
    120 ns
  • tr
    25 ns
  • VS max
    400 V
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    LCC-18
  • 出力電圧 max
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス
    5 V to 20 V
  • 電源電圧
    10 V to 20 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-LCC-18
パッケージ坝 LCC-18 CIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-LCC-18
パッケージ坝 LCC-18 CIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
Rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver RIC7S113E4SCS has independent high and low side referenced output channels. Intended for harsh radiation environments such as space, its electrical parameters are specified pre and post-irradiation up to 100 krad(Si) and SEE characterized up to a linear energy transfer (LET) of 81.9 MeV·cm2/mg. Screened per MIL-PRF-38535 Level S and in LCC CIC hermetic packaging.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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