JANSF2N7660T3
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JANSF2N7660T3

データシート
パッケージ

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JANSF2N7660T3
JANSF2N7660T3
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -23 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    76 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low-Ohmic
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
JANSF2N7660T3 is a rad hard, single P-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package. With -100V and -23A capabilities, this R9 generation device has up to 300krad(Si) TID and QPL classification. Its low RDS(on) and fast switching times makes it perfect for high-speed switching applications in motor controllers and DC-DC converters in space bus and payload systems.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ