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JANSF2N7660T3

データシート
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JANSF2N7660T3
JANSF2N7660T3
データシート

Product details

  • ESDクラス
    2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -23 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    76 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low-Ohmic
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
JANSF2N7660T3 is a rad hard, single P-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package. With -100V and -23A capabilities, this R9 generation device has up to 300krad(Si) TID and QPL classification. Its low RDS(on) and fast switching times makes it perfect for high-speed switching applications in motor controllers and DC-DC converters in space bus and payload systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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