IRHYS67134CMSCS

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IRHYS67134CMSCS
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製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    19 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    90 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHYS67134CMSCS R6 N-channel MOSFET is a rad hard device with a TO-257AA tabless low ohmic package. It has a maximum voltage of 150V and a maximum current rating of 19A. This MOSFET has been characterized for both Total Dose and Single Event Effect, making it suitable for space applications. With low RDS(on) and low gate charge, it reduces power losses in switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ