IRHYS67130CSCSA
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IRHYS67130CSCSA
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7588T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    42 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Rad hard IRHYS67130CSCSA R6 N-channel MOSFET is a 100V, 20A device. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, this QIRL device delivers low RDS(on) and low gate charge, reducing power losses in switching applications like DC-DC converters and motor controllers. Retaining the advantages of MOSFETs, it offers voltage control, fast switching & temperature stability of electrical parameters. Ideal for space apps.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ