IRHNS57260SESCS

データシート

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IRHNS57260SESCS
IRHNS57260SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    34 A
  • ID (@25°C) (最大)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL型番
    2N7473U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    38 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS (最小)
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNS57260SESCS R5 N-channel MOSFET is a rad hard device with 200V and 53A capability, ideal for space applications. It has high electrical performance up to 100krad(Si) TID, QIRL classification with low RDS(on) and low gate charge, resulting in reduced power losses. Housed in a SupIR-SMD package, this MOSFET has fast switching, voltage control, and temperature stability of electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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