新規設計は非推奨

IRHNMC9A3120

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNMC9A3120
IRHNMC9A3120
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL型番
    2N7651U8C
  • RDS (on) (@25°C) max
    55 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Rad hard R9 N-channel MOSFET IRHNMC9A3120 is a 100V and 23A device packaged in a ceramic SMD-0.2. Capable of withstanding up to 300krad(Si) TID, these COTS MOSFETs feature improved immunity to Single Event Effects (SEE) and are ideal for space applications. Their low RDS(on) and fast switching times make them perfect for DC-DC converters and motor drives.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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