IRHNMC9A3120
新規設計非推奨

IRHNMC9A3120

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNMC9A3120
IRHNMC9A3120
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL型番
    2N7651U8C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    55 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Rad hard R9 N-channel MOSFET IRHNMC9A3120 is a 100V and 23A device packaged in a ceramic SMD-0.2. Capable of withstanding up to 300krad(Si) TID, these COTS MOSFETs feature improved immunity to Single Event Effects (SEE) and are ideal for space applications. Their low RDS(on) and fast switching times make them perfect for DC-DC converters and motor drives.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

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