新規設計は非推奨

IRHNMC9A3120

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNMC9A3120
IRHNMC9A3120
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL型番
    2N7651U8C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    55 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Rad hard R9 N-channel MOSFET IRHNMC9A3120 is a 100V and 23A device packaged in a ceramic SMD-0.2. Capable of withstanding up to 300krad(Si) TID, these COTS MOSFETs feature improved immunity to Single Event Effects (SEE) and are ideal for space applications. Their low RDS(on) and fast switching times make them perfect for DC-DC converters and motor drives.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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