新規設計は非推奨

IRHNMC57214SESCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNMC57214SESCS
IRHNMC57214SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R5
  • ID (@25°C) max
    3.7 A
  • QG
    9.1 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1700 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2C
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNMC57214SESCS is a rad hard R5 MOSFET designed for space applications. It offers a 250V, 3.7A capacity with low RDS(on) and gate charge reducing power losses in high-speed switching. Proven SEE up to an LET of 80MeV·cm2/mg. In a SMD-0.2C package, it is QIRL classified for high-reliability spacecraft applications, with temperature stability of electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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