IRHNM9A7120SCS
新規設計非推奨

IRHNM9A7120SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNM9A7120SCS
IRHNM9A7120SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL型番
    2N7651U8
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    55 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNM9A7120SCS is a rad hard R9 N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With a voltage rating of 100V and a current rating of 23A, this single MOSFET is ideal for space applications. It has electrical performance up to 100krad(TID) and QIRL classification. The low RDS(on) and fast switching times make it perfect for DC-DC converters and motor control. It retains all the benefits of MOSFETs while having improved SEE immunity.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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