IRHNM57214SESCS
新規設計非推奨

IRHNM57214SESCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNM57214SESCS
IRHNM57214SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    2.4 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.7 A
  • QG
    9.1 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1700 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNM57214SESCS is a rad hard N-channel MOSFET ideal for space applications. Housed in a SMD-0.2 package, it has a voltage rating of 250V and a current rating of 3.7A. This R5 MOSFET has electrical performance up to 100krad(TID) and QIRL classification. The low RDS(on) and gate charge make it perfect for DC-DC converters and motor control while retaining all the benefits of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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