Active and preferred

IRHNA7260SESCV

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA7260SESCV
IRHNA7260SESCV
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    27 A
  • ID (@25°C) (最大)
    43 A
  • QG
    290 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    70 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHNA7260SESCV N-channel MOSFET is a single, rad hard, 200V, 27A device with electrical performance up to 100krad(Si) TID. Generation R4, it comes in a SMD-2 package and uses IR HiRel rad hard HEXFET technology, ideal for high-performance power applications in space. Low RDS(on) and gate charge make it suitable for switching applications with low power losses. Its QIRL classification ensures quality and reliability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }