IRHNA7260SESCV
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IRHNA7260SESCV

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IRHNA7260SESCV
IRHNA7260SESCV
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    27 A
  • ID (@25°C) (最大)
    43 A
  • QG
    290 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    70 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IRHNA7260SESCV N-channel MOSFET is a single, rad hard, 200V, 27A device with electrical performance up to 100krad(Si) TID. Generation R4, it comes in a SMD-2 package and uses IR HiRel rad hard HEXFET technology, ideal for high-performance power applications in space. Low RDS(on) and gate charge make it suitable for switching applications with low power losses. Its QIRL classification ensures quality and reliability.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ