IRHNA7260SESCV
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IRHNA7260SESCV
IRHNA7260SESCV

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    27 A
  • ID (@25°C) (最大)
    43 A
  • QG
    290 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    70 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.8 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHNA7260SESCV N-channel MOSFET is a single, rad hard, 200V, 27A device with electrical performance up to 100krad(Si) TID. Generation R4, it comes in a SMD-2 package and uses IR HiRel rad hard HEXFET technology, ideal for high-performance power applications in space. Low RDS(on) and gate charge make it suitable for switching applications with low power losses. Its QIRL classification ensures quality and reliability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ