IRHNA57163SE
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IRHNA57163SE
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データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    62 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7472U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    13.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNA57163SE R5 N-channel MOSFET is a compact COTS device designed specifically for space applications. With its rad hard, 130V, 62A features, it offers electrical performance up to 100Krad(Si) TID. Its low gate charge and RDS(on) are perfect for DC-to-DC converters and motor control, while still offering MOSFET features like voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ