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IRHMS9A3264

データシート
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IRHMS9A3264
IRHMS9A3264
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    19.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    300
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ坝 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ坝 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHMS9A3264 is a rad hard R9 N-channel MOSFET with improved immunity to SEE and electrical performance up to 300krad(Si) TID. Its low RDS(on) and fast switching times increase power density and reduce power losses in high-speed switching applications in space satellite bus and payload power systems. Coming in a TO-254AA Low Ohmic package, established advantages include voltage control, fast switching, and electrical parameter stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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