IRHLUBN770Z4SCS

データシート

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IRHLUBN770Z4SCS
IRHLUBN770Z4SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7616UB
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UB
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
OPN
製哝ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLUBN770Z4SCS is a rad hard single N-channel device with 60V and 0.8A ratings. With electrical performance up to 100krad(Si) TID and QIRL classification, this MOSFET is ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in radiation environments. The device maintains single event gate rupture and burnout immunity while interfacing with most logic gates, linear ICs, and micro-controllers using a 3.3-5V source.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }