新規設計は非推奨

IRHLNMC83Y20SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNMC83Y20SCS
IRHLNMC83Y20SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLNMC83Y20SCS is a single N-channel MOSFET in SMD-0.2 package with 20V, 17A capacity. It is rad hard and can withstand up to 300krad(Si) TID with QIRL space-level screening. With post-radiation acceptable operating limits, it provides a simple solution for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and radiation environments. The R8 FET is ideal for interfacing with logic gates, linear ICs, and micro-controllers.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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