新規設計は非推奨

IRHLNMC7S3214SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNMC7S3214SCS
IRHLNMC7S3214SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    2 A
  • ID (@25°C) max
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLNMC7S3214SCS R7 MOSFET is a radiation-hardened, 250V, 3.2A single N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With electrical performance up to 300krad(Si) TID, it has QIRL classification. Ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments, it maintains single event gate rupture and burnout immunity while the threshold voltage stays within acceptable operating limits.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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