新規設計は非推奨

IRHLNM83Y20SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM83Y20SCS
IRHLNM83Y20SCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) (最大)
    17 A
  • ID (@25°C) (最大)
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    15 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF (最大)
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLNM83Y20SCS is a rad hard N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With a maximum of 20V and 17A, it has a QIRL classification and electrical performance up to 300krad(Si) TID. The R8 device provides immunity to single event gate rupture and burnout while interfacing with CMOS and TTL control circuits. Ideal for micro-controllers and logic gates, it maintains acceptable operating limits over full temperature and post-radiation.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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