新規設計は非推奨

IRHLNM83Y20SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHLNM83Y20SCS
IRHLNM83Y20SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R8
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLNM83Y20SCS is a rad hard N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. With a maximum of 20V and 17A, it has a QIRL classification and electrical performance up to 300krad(Si) TID. The R8 device provides immunity to single event gate rupture and burnout while interfacing with CMOS and TTL control circuits. Ideal for micro-controllers and logic gates, it maintains acceptable operating limits over full temperature and post-radiation.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }