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IRHLF7S7214SCS

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IRHLF7S7214SCS
IRHLF7S7214SCS

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@25°C) max
    3.3 A
  • ID (@100°C) max
    2.1 A
  • QG
    18 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1000 mΩ
  • SEE
    100 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLF7S7214SCS R7 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a voltage rating of 200V and a current rating of 3.3A. With electrical performance up to 100krad(Si) TID and QIRL classification, it's ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in radiation environments. It maintains a threshold voltage within limits over temperature and radiation, while maintaining immunity to single event gate rupture and burnout.

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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