IRHLF7S7214SCS
Active and preferred

IRHLF7S7214SCS

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHLF7S7214SCS
IRHLF7S7214SCS
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    2.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.3 A
  • QG
    18 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1000 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    QIRL

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHLF7S7214SCS R7 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a voltage rating of 200V and a current rating of 3.3A. With electrical performance up to 100krad(Si) TID and QIRL classification, it's ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in radiation environments. It maintains a threshold voltage within limits over temperature and radiation, while maintaining immunity to single event gate rupture and burnout.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ