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IRHF7110

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IRHF7110
IRHF7110
データシート

Product details

  • ESD Class
    Class 1A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    2.2 A
  • ID (@25°C) max
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    600 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.4 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Configuration
    Discrete
  • Die Size
    1
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Qualification
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHF7110 R4 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device designed for space applications. With a maximum voltage rating of 100V and a current rating of 3.5A, it features low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. Its electrical performance is up to 100krad(Si) TID, QIRL qualified, making it a reliable choice for space environments.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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