IRHF7110
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IRHF7110
IRHF7110
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    2.2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    600 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHF7110 R4 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device designed for space applications. With a maximum voltage rating of 100V and a current rating of 3.5A, it features low RDS(on) and low gate charge for reduced power losses in switching applications. Its electrical performance is up to 100krad(Si) TID, QIRL qualified, making it a reliable choice for space environments.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ