IRFI4019HG-117P

150V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) Lead Free and Halogen Free package
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFI4019HG-117P
IRFI4019HG-117P
データシート

Product details

  • ID (@ TA=25°C) max
    8.7 A, 8.7 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    6.2 A, 6.2 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    18 W
  • Qgd (typ)
    3.9 nC
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) max
    95 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    95 mΩ
  • RthJA max
    65 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Integrated Half Bridge package
  • Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications
  • Low Qrr for better THD and improved efficiency
  • Low Qg and Qsw for Better THD and Improved Efficiency

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }