IRFI4019HG-117P

IRFI4019HG-117P

150V Dual N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak(Iso) Lead Free and Halogen Free package

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IRFI4019HG-117P
IRFI4019HG-117P

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    8.7 A, 8.7 A
  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    6.2 A, 6.2 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    18 W
  • Qgd (typ)
    3.9 nC
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (最大)
    95 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    95 mΩ
  • RthJA (最大)
    65 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Integrated Half Bridge package
  • Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications
  • Low Qrr for better THD and improved efficiency
  • Low Qg and Qsw for Better THD and Improved Efficiency

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ