IRF100P219
Active and preferred
RoHS対応

IRF100P219

100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 Package
個.
在庫あり

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IRF100P219
IRF100P219
個.

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    316 A
  • Ptot (最大)
    341 W
  • Qgd
    40 nC
  • QG (typ @10V)
    168 nC
  • RDS (on) (最大)
    1.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.7 mΩ
  • RthJC (最大)
    44 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    2.06
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRF100P219AKMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

利点

  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability
  • Lead-Free; RoHS Compliant; Halogen-Free
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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