Active and preferred
RoHS準拠

IRF100P219

100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 Package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRF100P219
IRF100P219
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    316 A
  • Ptot max
    341 W
  • Qgd
    40 nC
  • QG (typ @10V)
    168 nC
  • RDS (on) max
    1.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1.7 mΩ
  • RthJC max
    44 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    2.06
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRF100P219AKMA1 IRF100P219XKMA1
製品ステータス active and preferred discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247 TO247
包装サイズ 400 400
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA 1
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり
代替品

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability
  • Lead-Free; RoHS Compliant; Halogen-Free

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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