IPS110N12N3 G

データシート

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IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    3240 pF
  • Coss
    408 pF
  • ID (最大)
    75 A
  • IDpuls (最大)
    300 A
  • Ptot (最大)
    136 W
  • QG (typ @10V)
    49 nC
  • RDS (on) (最大)
    11 mΩ
  • Rth
    1.1 K/W
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) (typ) (範囲)
    2 V ～ 4 V
  • VGS(th) (typ)
    3 V
  • パッケージ
    IPAK SL (TO-251 SL)
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The 120V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behavior, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilites for optimized solutions.

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest RDS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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