Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPQC65R040CFD7

650 V CoolMOS™ NチャネルSJパワーMOSFET CFD7、HDSOP-22下面放熱
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPQC65R040CFD7
IPQC65R040CFD7
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID max
    64 A
  • ID (@25°C) max
    64 A
  • IDpuls max
    211 A
  • Ptot max
    357 W
  • QG
    97 nC
  • QG (typ @10V)
    97 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    34 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK bottom-side cooled
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPQC65R040CFD7XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK bottom-side cooled
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK bottom-side cooled
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFETは、インフィニオンの高耐圧スーパージャンクションMOSFET技術を採用した製品で、高速ボディダイオードを内蔵しており、CoolMOS™ 7シリーズを完成させています。ゲート電荷 (Qg) の低減、ターンオフ動作の改善、競合製品に比べ最大で69%低い逆回復電荷 (Qrr)、市場で最も低い逆回復時間 (trr) を実現しています。下面放熱パッケージにより導通損失が最小限に抑えられ、デバイスの標準的な放熱と実装が可能になります。

機能

  • 超高速ボディダイオード
  • ブレークダウン電圧650 V
  • 最高レベルのRDS(on)
  • スイッチング損失の低減
  • スイッチング損失の低減

利点

  • 優れたハードコミュテーション耐性
  • 高電圧設計向けに安全マージンを確保
  • 電力密度向上のソリューション
  • 軽負荷時の優れた効率
  • 全負荷効率の向上

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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