Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPQC65R017CFD7

650 V CoolMOS™ NチャネルSJパワーMOSFET CFD7、HDSOP-22 下面放熱
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPQC65R017CFD7
IPQC65R017CFD7
データシート

Product details

  • ID max
    136 A
  • ID (@25°C) max
    136 A
  • IDpuls max
    524 A
  • Ptot max
    694 W
  • QG
    236 nC
  • QG (typ @10V)
    236 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    15 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK bottom-side cooled
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPQC65R017CFD7XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK bottom-side cooled
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK bottom-side cooled
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFETは、最新のインフィニオンの高耐圧スーパージャンクションMOSFET技術を採用した製品で、高速ボディダイオードを内蔵しており、CoolMOS™ 7シリーズを完成させています。ゲート電荷 (Qg) の低減、ターンオフ動作の改善、競合製品に比べ最大で69%低い逆回復電荷 (Qrr)、市場で最も低い逆回復時間(trr) を実現しています。下面放熱パッケージにより導通損失が最小限に抑えられ、デバイスの標準的な放熱と実装が可能になります。

機能

  • 超高速ボディダイオード
  • ブレークダウン電圧 650 V
  • 最高レベルのRDS(on)
  • スイッチング損失の低減

利点

  • 優れたハードコミュテーション耐性
  • 高耐圧電圧設計向けに安全マージンを確保
  • 電力密度向上のソリューション
  • 軽負荷時の優れた効率
  • 全負荷効率の向上

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }