IPL60R225CFD7

600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET with integrated fast body diode in ThinPAK 8x8 package is the perfect choice for resonant high power topologies
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IPL60R225CFD7
IPL60R225CFD7
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製品仕様情報

  • ID (最大)
    12 A
  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • IDpuls (最大)
    42 A
  • Ptot (最大)
    68 W
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • QG
    23 nC
  • RDS (on) (最大)
    225 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    225 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) (範囲)
    3.5 V ～ 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Thin-PAK 8x8
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPL60R225CFD7 in ThinPAK 8x8 fits perfectly for resonant topologies in high power SMPS , such as server , telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.

特長

  • Ultra-fast body diode
  • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
  • Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
  • Lowest FOM RDS(on) x Qg and EOSS
  • Best-in-class RDS(on)/package combinations

利点

  • Best-in-class hard commutation ruggedness
  • Highest reliability for resonant topologies
  • Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
  • Enabling increased power density solutions

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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