IPD020N03LF2S
アクティブ
RoHS対応

IPD020N03LF2S

StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in DPAK package
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPD020N03LF2S
IPD020N03LF2S
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    143 A
  • IDpuls (最大)
    572 A
  • QG (typ @4.5V)
    33 nC
  • QG (typ @10V)
    69 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.05 mΩ
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V～2.35 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IPD020N03LF2SATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon’s StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V technology features a best-in-class RDS(on) of 2 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency.Compared to the previous technology, the IPD020N03LF2S achieves up to 40% RDS(on) improvement while having up to 60% FOM enhancement and excellent robustness.

特長

  • General purpose products
  • Excellent robustness
  • Superior price/performance ratio
  • Broad availability at distributors
  • Standard packages and pin-out
  • High manufacturing & supply standards

利点

  • Addresses a wide range of applications
  • Reliable performance
  • High quality and competitive pricing
  • Convenient selection & purchasing
  • Ease of design-in
  • Simplified product services
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ