IPB19DP10NM
アクティブ
RoHS対応

IPB19DP10NM

OptiMOS™ P-Channel MOSFET 100V in D²PAK
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPB19DP10NM
IPB19DP10NM
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -13.8 A
  • ID (最大)
    -13.8 A
  • IDpuls (最大)
    -55 A
  • Ptot (最大)
    83 W
  • QG
    -36 nC
  • QG (typ @10V)
    -36 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    185 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    185 mΩ
  • VDS (最大)
    -100 V
  • VGS(th) 範囲
    -2.1 V～-4 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.62
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    P
推奨
OPN
IPB19DP10NMATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ P-Channel MOSFET 100 V in D²PAK package targeting battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. Available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

特長

  • High and low switching frequency
  • Avalanche ruggedness
  • Standard footprint surface mount package
  • Broad availability at disty partners

利点

  • Supports a wide variety of applications
  • Robust, reliable performance
  • Standard pinout for replacement
  • Increased security of supply

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ