Active and preferred
RoHS準拠

IPB19DP10NM

OptiMOS™ P-Channel MOSFET 100V in D²PAK
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB19DP10NM
IPB19DP10NM
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -13.8 A
  • ID max
    -13.8 A
  • IDpuls max
    -55 A
  • Ptot max
    83 W
  • QG
    -36 nC
  • QG (typ @10V)
    -36 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    185 mΩ
  • RDS (on) max
    185 mΩ
  • VDS max
    -100 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.62
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    P
推奨
OPN
IPB19DP10NMATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ P-Channel MOSFET 100 V in D²PAK package targeting battery management, load switch and reverse polarity protection applications, reducing design complexity in medium and low power applications. Easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. Available in normal level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads.

機能

  • High and low switching frequency
  • Avalanche ruggedness
  • Standard footprint surface mount package
  • Broad availability at disty partners

利点

  • Supports a wide variety of applications
  • Robust, reliable performance
  • Standard pinout for replacement
  • Increased security of supply

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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