IPB175N20NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPB175N20NM6

OptiMOS™ 6 パワー MOSFET 200 V ノーマルレベル、 (D²PAK 3 ピン パッケージ)
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPB175N20NM6
IPB175N20NM6
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    61 A
  • IDpuls (最大)
    244 A
  • QG (typ @10V)
    31 nC
  • QG
    31 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    17.5 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    17.5 mΩ
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.5 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPB175N20NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
個.
在庫あり
OptiMOS™ 6 200Vテクノロジーの高度なセル設計を活用したIPB175N20NM6は、従来のIR MOSFET™製品に比べても、卓越した効率と電力密度を実現しています。

特長

  1. 業界最小レベルのRDS(on)(200 V)
  2. 業界最小レベルのQrr 200V
  3. 前世代製品に比べてR DS(on)を最大42%削減
  4. 前世代製品に比べてQrr(typ)を最大89%削減
  5. 前世代製品に比べてFOMgを36%削減
  6. 前世代製品に比べてダイオードのソフトリカバリ特性が3倍向上
  7. 高いキャパシタンス直線性
  8. 前世代製品に比べてSOAが向上
  9. Vgs(th)のばらつきが小さく±750 mV
  10. 高いアバランシェ耐量
  11. Max Tj175°C、MSL1

利点

  1. 低導通損失および低スイッチング損失
  2. 優れたEMI性能による安定動作
  3. 並列動作時の優れた電流分配
  4. 堅牢性の向上
  5. システムの信頼性向上
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ