IPB133N12NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPB133N12NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in D²PAK 3-pin package
データシート
パッケージ

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IPB133N12NM6
IPB133N12NM6
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    55 A
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    13.3 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    2.6 V～3.6 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPB133N12NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This is a normal level 120 V MOSFET in D²PAK 3-pin packaging with 13.3 mOhm on-resistance. IPB133N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.

特長

  • Compared to OptiMOS™ the technology features:
  • up to 40% better RDS(on)
  • up to 50% better FOMg
  • up to 50% better Qrr

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ