Active and preferred
RoHS準拠

IPB060N15N5

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB060N15N5
IPB060N15N5
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    136 A
  • IDpuls max
    544 A
  • Ptot max
    250 W
  • Qgd
    11.1 nC
  • QG (typ @10V)
    54.5 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.6 K/W
  • Rth
    0.4 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • パッケージ
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • ピン数
    7 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.87
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPB060N15N5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs are suitable for low voltage drives (forklifts and e-scooters, telecom, solar) applications. The products offer breakthrough reduction in RDS(on) and Qrr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort, optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Qrr = 26nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.

機能

  • Low RDS(on) and improved FOM
  • Lower output charge
  • Ultra-low reverse recovery charge
  • Increased commutation ruggedness
  • Higher switching frequency possible

利点

  • Reduced paralleling
  • Higher power density designs
  • More rugged products
  • System cost reduction
  • Improved EMI behavior

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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