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IPB018N10N5
生産終了
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IPB018N10N5

生産終了
OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in D²PAK
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IPB018N10N5
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    176 A
  • IDpuls (最大)
    704 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • QG (typ @10V)
    168 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.83 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
OPN
IPB018N10N5ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IPB018N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 power MOSFET 1.8 mOhm, 100 V in the industry standard D²PAK package for surface mount assembly. OptiMOS™ 5 power MOSFET in D²PAK targets light electric vehicles and battery management systems .

特長

  • Very low RDS(on)
  • O/P capacitance reduction of up to 44%
  • Industry standard package

利点

  • Less paralleling and cooling required
  • Highest system reliability
  • System cost reduction
  • Low voltage overshoot

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ