Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25L16B-DG

データシート
パッケージ

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FM25L16B-DG
FM25L16B-DG
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25L16B-DG
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85260)
包装サイズ 1620
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85260)
包装サイズ 1620
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
FM25L16B-DGは16 Kbit（2K × 8）シリアル強誘電体RAM（F-RAM）で、最大20 MHzのSPIインターフェースに対応します。1e14回の高耐久な読み書きと65°Cで151年のデータ保持を実現し、頻繁な不揮発性書き込み用途に最適です。2.7 V～3.6 V動作、-40°C～+85°C対応、NoDelay™書き込み、先進的な書き込み保護、3 μAスタンバイ低消費電力を特長とします。8ピンDFNパッケージ、RoHS準拠で、産業用や制御システムにおけるシリアルEEPROMやフラッシュの信頼性の高い代替品です。

特長

  • 16 Kbit強誘電体RAM、2K x 8構成
  • 100兆回の高耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™即時書き込み
  • 最大20 MHzのSPIインターフェース
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 1/4・1/2・全体のブロック保護
  • 低消費電力：200 μA動作、3 μA待機
  • 動作電圧2.7 V～3.6 V
  • –40°C～+85°C動作温度
  • 入出力容量最大6/8 pF

利点

  • 重要データの信頼性非揮発メモリ
  • 書き込み遅延なしで高速動作
  • 高耐久で頻繁な記録に最適
  • 151年保持でデータ消失防止
  • シリアルEEPROM/フラッシュ置換
  • 20 MHzで高速アクセス
  • 柔軟な保護で誤書き防止
  • 低消費で電池寿命延長
  • 幅広い電圧で多用途対応
  • 過酷環境下でも安定動作
  • 標準SPIで容易に統合
  • 小容量で高速信号伝送

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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