CY7C1512KV18-250BZXI
Active and preferred
RoHS対応

CY7C1512KV18-250BZXI

データシート
パッケージ

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CY7C1512KV18-250BZXI
CY7C1512KV18-250BZXI
データシート

製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 周波数
    250 MHz
  • 組織 (X x Y)
    4M x 18
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY7C1512KV18-250BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 1360
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 1360
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1512KV18-250BZXIは72-MbitのQDR II SRAMで、4M × 18構成。独立した読出し/書込みポートにより同時トランザクションと2ワードバースト転送に対応します。DDRインターフェースで入力クロックK/K、出力クロックC/C、データ取り込み用のエコークロックCQ/CQを備え、最大250 MHzで動作します。DOFF=HIGHで読出しレイテンシ1.5サイクル、QDR Iモードで1サイクル。コアVDDは1.8 V、VDDQは1.4 V～VDD。

特長

  • 72-Mbit QDR II SRAMアーキ
  • 独立した読出/書込ポート
  • 読出し/書込み同時動作
  • 全アクセス2ワードバースト
  • DDR I/O：350 MHz/700 MHz
  • DOFF高：1.5サイクル遅延
  • DOFF低：1サイクル読出遅延
  • 入力K/K、出力C/Cクロック
  • CQ/CQエコークロック搭載
  • コアVDD 1.7-1.9 V
  • VDDQ 1.4 V～VDD
  • IEEE 1149.1 JTAG対応

利点

  • 高速ネット向け高帯域
  • バス切替待ちが不要
  • R/W同時でスループット向上
  • 2ワードでコマンド削減
  • 700 MHz DDRで転送高速化
  • 低レイテンシで厳しいタイミング
  • DOFFで遅延とパイプ選択
  • 分離クロックでタイミング容易
  • エコーで基板の取り込み容易
  • 1.8 Vコアで省電力化
  • HSTLで高速リンクに適合
  • JTAGで試験/デバッグ短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ