CY7C1041G30-10ZSXET
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1041G30-10ZSXET

パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1041G30-10ZSXET
CY7C1041G30-10ZSXET
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1041G30-10ZSXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1041G30-10ZSXETは4 Mbit（256K×16）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット訂正ECCを内蔵します。AEC-Q100適合、2.2 V～3.6 V動作、アクセス時間10 ns。Automotive-Eは-40°C～125°C対応。BLE/BHEで上下バイトを読み書きし、非選択時はHI-Z出力。VCC=3.6 V時のISB2はtyp 6 mAです。

特長

  • 4 Mbit SRAM(256K×16)
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • アドレスアクセスtAA 10 ns
  • リードサイクルtRC 10 ns
  • OE→データtDOE 4.5 ns
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • CE1/CE2のデュアルCE論理
  • 非選択/無効時I/OはHi-Z
  • VCC動作範囲2.2 V～3.6 V
  • 1.0 Vでデータ保持
  • ICC典型40 mA、最大50 mA
  • ISB2待機典型6 mA、最大14

利点

  • 16ビット対応でチップ数削減
  • 1ビット訂正でデータ保全
  • 10 nsアクセスで遅延低減
  • 10 nsサイクルで高速バス対応
  • 4.5 ns OEで非同期読出し高速
  • バイト書込みで帯域を節約
  • CE1/CE2でデコードが容易
  • Hi-Z出力でバス共有が簡単
  • 2.2-3.6 Vで3.3 V系に対応
  • 1.0 V保持でバックアップ節電
  • ICC明確で電力設計が容易
  • 低待機でアイドル電力削減

アプリケーション

自動車用ヘッドユニット
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ