Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15V102QN-50SXET

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CY15V102QN-50SXET
CY15V102QN-50SXET

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    2 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    1.71 V ~ 1.89 V
  • 動作電圧 (範囲)
    1.71 V ~ 1.89 V
  • 周波数
    50 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15V102QN-50SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15V102QN-50SXETは2 Mb EXCELON™ Auto強誘電体RAM(F-RAM)で、SPIインターフェースを採用し、256K × 8構成です。高耐久性と高速な不揮発性メモリが求められる車載用途向けに設計されています。動作電圧は1.71 V~1.89 V、最大50 MHzのSPIクロックに対応し、10兆回の読書きサイクルと121年のデータ保持を実現。AEC-Q100 Grade 1準拠、-40°C~+125°Cの動作温度、低消費電力、先進の書き込み保護、ユニークなデバイスID、重要データ用の256バイト専用セクタを備えます。

特長

  • 2Mb強誘電体RAM
  • 10^13回の耐久書き換え
  • 121年データ保持(85°C)
  • 即時不揮発性書き込み技術
  • 最大50 MHzのSPIインターフェース
  • ハード/ソフト両方の書き込み保護
  • 専用256バイト特殊セクタ
  • デバイス&ユニークID
  • 低消費電流:3.7 mA動作、2.7 µA待機
  • ディープパワーダウン1.1 µA、休止0.1 µA
  • 入出力漏れ電流±5 µA
  • 動作温度–40°C~+125°C

利点

  • 10^13回で頻繁なデータ記録に最適
  • 121年保持でデータ安全
  • 書き込み遅延なし即時保存
  • 50 MHz SPIで高速転送
  • ハード/ソフト保護でデータ損失防止
  • 特殊セクタはリフロー耐性
  • ユニークIDで機器追跡
  • 低消費電力で長寿命
  • ディープパワーダウンで待機電力低減
  • 休止モードで省エネ
  • 広温度範囲で過酷環境対応
  • ミッションクリティカル用途に信頼

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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