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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

BSB280N15NZ3 G

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データシート
パッケージ

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BSB280N15NZ3 G
BSB280N15NZ3 G
データシート

Product details

  • Ciss
    1200 pF
  • Coss
    180 pF
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • IDpuls max
    120 A
  • Ptot max
    57 W
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    28 mΩ
  • Rth
    2.2 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DirectFET(M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MZ-25
  • 予算価格€/ 1k
    1.03
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 極性
    N
OPN
BSB280N15NZ3GXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-2
パッケージ名 DirectFET MZ
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
MG-WDSON-2
パッケージ名 DirectFET MZ
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

機能

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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