BSB056N10NN3 G
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

BSB056N10NN3 G

データシート
パッケージ

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BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 G
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    4100 pF
  • Coss
    750 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    83 A
  • IDpuls (最大)
    332 A
  • Ptot (最大)
    78 W
  • QG (typ @10V)
    56 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.6 mΩ
  • Rth
    1.6 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～3.5 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • パッケージ
    DirectFET (M)
  • マイクロステンシル
    IRF66MN-25
  • 予算価格€/ 1k
    1.11, 1.11
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
BSB056N10NN3GXUMA3 BSB056N10NN3GXUMA2
製品ステータス active active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-5
MG-WDSON-5
パッケージ名 N/A N/A
梱包サイズ 4800 5000
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3 3
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 -
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ MG-WDSON-5
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest R DS(on)
  • Low Q g and Q gd
  • Excellent gate charge
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
Easy-to-design products23

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ